特許

J-GLOBAL ID：200903014996124521

半導体不揮発性メモリ素子とその製法

発明者： 片岡 豊隆 ,  吉越 俊一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090870
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288410
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体不揮発性メモリの多結晶Siのゲート電極からシリコン半導体基板に電子を流すことによるゲート絶縁層の信頼性の低下を回避する。【構成】 ゲート絶縁膜13上に第1のゲート電極17と中間絶縁層18を介して第2のゲート電極20が形成されたゲート部を有する半導体不揮発性メモリ素子において、その少なくとも第1のゲート電極が単結晶半導体層よりなる構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜上に第1のゲート電極と中間絶縁層を介して第2のゲート電極とが形成されたゲート部を有する半導体不揮発性メモリ素子において、少なくとも上記第1のゲート電極が単結晶半導体層よりなることを特徴とする半導体不揮発性メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434