特許

J-GLOBAL ID：200903014998917650

プラズマエッチング法及び半導体装置

発明者： 門村 新吾 ,  平野 信介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230753
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082695
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】プラズマエッチングにおけるプラズマ放電の前にプラズマエッチング装置のチャンバー内に存在する未解離のハロゲン系ガスと銅とが反応する結果、銅薄膜をエッチングできなくなるといった現象の発生を確実に抑制することができるプラズマエッチング法を提供する。【解決手段】銅薄膜のプラズマエッチング法においては、基体40,41上に形成された銅薄膜43の露出面43Aがプラズマ放電前のハロゲン系ガスと接触しないように銅薄膜43の露出面43Aを保護膜44で被覆した後、該ハロゲン系ガスを使用して該保護膜44をプラズマエッチングし、引き続き、銅薄膜43をプラズマエッチングする。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された銅薄膜の露出面がプラズマ放電前のハロゲン系ガスと接触しないように銅薄膜の露出面を保護膜で被覆した後、該ハロゲン系ガスを使用して該保護膜をプラズマエッチングし、引き続き、銅薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C09K 13/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/3213 ,  H05B 3/68

FI (6件)：

H01L 21/302 F ,  C09K 13/00 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 R ,  H05B 3/68 ,  H01L 21/88 D