特許

J-GLOBAL ID：200903015013079679

半導体装置及びその製造方法

発明者： 木津 辰貴 ,  野原 晴夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335426
出願日： 1992年05月30日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 シリコン半導体表面の自然酸化膜によるコンタクト抵抗の増大及びコンタクト孔側壁に形成された段差による金属配線の段切れを防止した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板10上には、CVDSiO2 膜2、4と表面が平坦化されたBPSG膜21、41の積層絶縁膜が形成されている。最上層のBPSG膜41にバリアメタル8を施したAl配線9を形成する場合に、この配線と半導体基板10のN+領域102とを電気接続するためにこの積層絶縁膜にコンタクト孔を形成するが、その側壁のエッチングされ易いBPSG膜21は、予めこの側壁から除いておく。このようにすれば、エッチングされ難いSiO2 膜41は、コンタクト孔内に突出しないので、配線の段切れは生じない。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成され、半導体素子が形成される素子領域と、前記半導体基板上に形成され、他の層よりもエッチング速度が速い絶縁膜を少なくとも1層有する多層の層間絶縁膜と、前記多層の層間絶縁膜の前記他の層よりもエッチング速度が速い絶縁膜は、その側壁に露出しておらず、その底面に前記素子領域が露出するように前記多層の層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔と、前記多層の層間絶縁膜上に形成され、前記多層の層間絶縁膜に形成された前記コンタクト孔を通して前記素子領域の所定の領域と電気的に接続している配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 27/10 381