特許
J-GLOBAL ID:200903015018724130

半導体装置用基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-231291
公開番号(公開出願番号):特開2000-151111
出願日: 1999年08月18日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】交互に積み重ねられた複数の配線層と絶縁層を有し絶縁層に設けられたバイアホールを介して絶縁層の上側と下側に配置された配線層が接続されているプリント配線部を備え、かつ、前記プリント配線部上に半導体チップが搭載される半導体装置用基板において、バイアホールの寸法を小さくした場合にも、高い接続信頼性を確保でき、信号の伝搬特性の維持と製造プロセスの安定化を同時に達成可能なバイアホールの構造を提供する。【解決手段】前記バイアホールが略長方形もしくは長円形であることを特徴とする半導体装置用基板。
請求項(抜粋):
交互に積み重ねられた複数の配線層と絶縁層を有し絶縁層に設けられたバイアを介して絶縁層の上側と下側に配置された配線層が接続されているプリント配線部を備え、かつ、前記プリント配線部上に半導体チップが搭載される半導体装置用基板において、前記バイアが略長方形もしくは長円形であることを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11
FI (4件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 1/11 H ,  H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (3件)

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