化合物半導体の気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318763
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244109
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】3-5族化合物半導体の気相成長に関して、エッジグロースの生じない、エピタキシャルウェハー全面に渡って層厚の均一なエピタキシャル層を成長する。【構成】エピタキシャル成長時に反応管102内でエピタキシャル成長用基板105を対峙して位置させる筒状の上部反応室110及び下部反応室111の原料ガス供給口の周辺部に設置されたエッチングガス供給管112より、エッチングガスを供給しながら成長を行なう。

請求項（抜粋）：

反応管内に設けられた筒状の反応室の一端から原料ガスを送り、反応室の他端に原料ガスの流れと直角になるように対峙して保持された結晶基板の表面にエピタキシャル層を形成する化合物半導体の気相成長方法において、前記反応室の他端の周辺部よりエッチングガスを供給することを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。

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