特許

J-GLOBAL ID：200903015022065168

半導体装置

発明者： 三原 徹 ,  保永 伸一 ,  山下 隆麿 ,  奥津 善弘 ,  佐藤 邦仁
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 住吉 多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236750
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087527
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 入力ゲート保護回路を配置する領域に対する制約を少なくするとともに、該領域の拡大を抑えつつ、直線状の多結晶シリコン抵抗と同等の静電破壊耐圧を有する入力ゲート保護回路を得る。【解決手段】 絶縁ゲート型電界効果型半導体素子を用いた入力ゲート回路に接続される入力ゲート保護回路自体若しくは入力ゲート保護回路の一部に多結晶シリコン抵抗30を使用している半導体装置において、多結晶シリコン抵抗30の平面形状を蛇行した形状とし、その角部の内側の全てを曲線または鈍角とした。多結晶シリコン抵抗の平面形状の蛇行部の角部の内側が全て半径20μm以上の曲率をもつ円弧または円弧に近い鈍角とした。多結晶シリコン抵抗の幅を10μm以上とした。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型電界効果型半導体素子を用いた入力ゲート回路に接続される入力ゲート保護回路自体若しくは入力ゲート保護回路の一部に多結晶シリコン抵抗を使用している半導体装置において、前記多結晶シリコン抵抗の平面形状を蛇行した形状とし、その角部の内側の全てを曲線または鈍角としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K