特許
J-GLOBAL ID：200903015024268201

貼り合わせウェーハの製造方法

発明者：
三谷 清

三谷 清 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179373
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005127
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 剥離用イオン注入層を付加機能層の堆積工程を挟む2回のイオン注入で形成することにより、付加機能層の膜厚不均一が貼り合わせ半導体薄層の膜厚均一性に影響を及ぼさないようにする。【解決手段】 第1のイオン注入工程(a1)で、ボンドウェーハ1の絶縁膜2側から臨界ドーズ量未満のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層3を形成する。付加機能層堆積工程(b2)で、ボンドウェーハ1の絶縁膜2上に付加機能層4を堆積する。第2のイオン注入工程(c1)で、付加機能層4の表面側から第1のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第1のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層3を剥離用イオン注入層3’とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ボンドウェーハの表面から、深さ方向のイオン注入プロファイルにおいて予め定められた深さ位置に濃度ピークを有するように第1のイオン注入を行なう第1のイオン注入工程と、 前記ボンドウェーハのイオン注入面側に付加機能層を堆積する付加機能層堆積工程と、 前記ボンドウェーハの前記付加機能層側から前記第1のイオン注入位置を目標とする第2のイオン注入を行なう第2のイオン注入工程と、 前記ボンドウェーハの前記付加機能層側をベースウェーハに貼り合わせる貼り合わせ工程と、 前記ボンドウェーハを前記第1のイオン注入位置で剥離する剥離工程と を含むことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/265
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/76 D ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 F
Fターム (11件)：
5F032AA91 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032DA02 ,  5F032DA21 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3048201号公報
  • SOIウェーハの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-219308   出願人：信越半導体株式会社

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