特許

J-GLOBAL ID：200903015027951077

半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者： 草野 恭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199791
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 高精度にフォトレジストを現像し均一なレジストパターンを形成することができる半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供すること。【解決手段】 モータ3により回転駆動される回転軸3の一端に支持される露光済のフォトレジスト膜が塗布された半導体ウエハ6の現像処理を第1の現像処理および第2の現像処理と2回の現像処理を行う。現像液は共通の現像液吐出ノズル7により吐出され、第2の現像処理における現像時間を第1の現像処理におけるそれよりも短くする。すなわち、第1の現像処理により所定のレジストパターンが形成されるが、このとき溶解したフォトレジスト溶解物がパターン周辺部に残留、付着する。これを第2の現像処理において除去することにより、微細パターンを高精度に、かつ均一に形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に塗布されたフォトレジストを現像し、前記半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する半導体装置の製造方法において、現像液吐出ノズルから現像液を吐出させた後、又は吐出させながら、前記半導体ウエハを支持する回転軸を回転させ前記半導体ウエハ上に前記現像液を塗布した後、前記回転軸の回転駆動を第1の所定時間停止させる第1の現像処理と、前記第1の所定時間経過後、前記現像液吐出ノズルから前記現像液を吐出させた後、又は吐出させながら、前記回転軸を回転させ前記半導体ウエハ上に前記現像液を塗布した後、前記回転軸の回転駆動を第2の所定時間停止させる第2の現像処理と、前記第2の所定時間経過後、リンス液吐出ノズルからリンス液を吐出させながら、前記回転軸を回転させ前記半導体ウエハ上を洗浄する洗浄処理と、前記リンス液の吐出を停止し前記回転軸の回転駆動により前記半導体ウエハを乾燥させる乾燥処理とを行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/30 502

FI (3件)：

H01L 21/30 569 C ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/30 502