特許
J-GLOBAL ID:200903015030649861
多孔質炭化珪素成形体の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福田 保夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-362148
公開番号(公開出願番号):特開2000-185979
出願日: 1998年12月21日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】 高い気孔率を有するとともに材質強度に優れた多孔質炭化珪素成形体の製造方法を提供する。【解決手段】 ポリビニルアルコールで表面を補強したSiCウイスカープリフォームに、ポリカルボシランを溶解したバインダー溶液を含浸し、乾燥した後、非酸化性雰囲気中700〜1700°Cの温度で熱処理して、ポリカルボシランから転化した炭化珪素〔SiC(p) 〕とプリフォーム中のSiCウイスカー〔SiC(w) 〕との重量比〔SiC(p) 〕/〔SiC(w) 〕が1〜40重量%の組成からなる多孔質炭化珪素成形体の製造方法。
請求項(抜粋):
ポリビニルアルコールで表面を補強したSiCウイスカープリフォームに、ポリカルボシランを溶解したバインダー溶液を含浸し、乾燥した後、非酸化性雰囲気中700〜1700°Cの温度で熱処理してポリカルボシランから転化した炭化珪素〔SiC(p) 〕とプリフォーム中のSiCウイスカー〔SiC(w) 〕との重量比〔SiC(p) 〕/〔SiC(w) 〕が1〜40重量%の組成からなる多孔質炭化珪素成形体の製造方法。
Fターム (1件):
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