特許
J-GLOBAL ID：200903015033429064
絶縁ゲート電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134920
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177377
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 小さい突き抜け漏れ電流(パンチスルー・リーク)を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ装置。【構成】 基板材料中の窪んだデバイスチャネル領域に隣接するトレンチゲートこれに隣接し、前記基板材料内にある少なくとも1つの低濃度にドープされた接合を含み、窪んだゲートトレンチ領域の下側に、ゲート誘電層によって前記窪んだゲート領域から分離された窪んだチャネル領域を形成すること、及びゲートトレンチ領域に隣接して本質的に垂直な低濃度にドープされた接合を形成するの工程を含む。
請求項（抜粋）：
小さい突き抜け漏れ電流(パンチスルー・リーク)を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ装置であって:基板材料中の窪んだデバイスチャネル領域、前記基板領域内に広がり、前記窪んだチャネル領域に隣接するトレンチゲート領域、前記トレンチゲート領域に隣接し、前記基板材料内にある少なくとも1つの低濃度にドープされた接合、を含む装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 301 L
