特許

J-GLOBAL ID：200903015034334369

高電荷移動度トランジスタおよびその製造方法

発明者： 石合 善徳 ,  和田 伸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006946
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208754
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】HEMTにおいて、占有面積の増大を極力抑制しながらソース・ドレイン電極と高移動度電荷チャネルとの接続抵抗およびオン抵抗を低減する。【解決手段】トランジスタのチャネルを形成するために半導体基板1上に積層された複数の半導体層に、2つの半導体層(電子走行層3および電子供給層4)を含む。2つの半導体層3,4間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネル(2DEG)が形成される。この複数の半導体層3〜5の少なくとも一方の側面に、不純物がドーピングされた半導体材料からなるコンタクト半導体層6が形成されている。コンタクト半導体層6上に、ソースまたはドレインのオーミック接続層11が形成されている。

請求項（抜粋）：

トランジスタのチャネルを形成するために半導体基板上に積層された複数の半導体層内で2つの半導体層間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネルが形成され、上記複数の半導体層上にゲート電極を有する高電荷移動度トランジスタであって、不純物がドーピングされた半導体材料からなるコンタクト半導体層が、上記複数の半導体層の少なくとも一方の側面に形成され、上記コンタクト半導体層上に、ソース電極またはドレイン電極がオーミック接続層を介して形成されている高電荷移動度トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C

Fターム (19件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC05 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21