特許
J-GLOBAL ID：200903015034430007
マルチビーム型半導体レーザアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342993
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160655
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 構成素子の各々を目視で識別できるようにしたマルチビーム型半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】 本半導体レーザアレイ20は、一つのチップの共通基板12上に電気的分離溝14で分離されてアレイ状に形成された、同じ寸法、同じ形態の2個の第1半導体レーザ素子16、第2半導体レーザ素子18を備え、各半導体レーザ素子の表面指定領域に、それぞれ、識別標識が付されている。半導体レーザ素子をそれぞれ識別する識別標識?@及び?A、22、24は、半導体レーザ素子の各々の最上層として形成された保護膜内の隅部に形成されている。また、別法として、半導体レーザ素子をそれぞれ識別する識別標識?@及び?A22、24をチップの共通基板の半導体レーザ素子の形成領域の隅部に付しても良い。
請求項（抜粋）：
共通基板上にアレイ状に形成された複数個の半導体レーザ素子からなるマルチビーム型半導体レーザアレイにおいて、各半導体レーザ素子の素子特性に影響しない表面余剰領域に、それぞれ、半導体レーザ素子の種類を識別する識別標識が付されていることを特徴とするマルチビーム型半導体レーザアレイ。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610
, H01S 5/022
H01S 5/22 610
, H01S 5/022
