特許

J-GLOBAL ID：200903015035966920

光半導体装置とその製造方法

発明者： 高木 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308467
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 単一の素子で利得又は消光特性を劣化させることなく偏光無依存化が可能な光半導体装置を提供する。【解決手段】 p型半導体とn型半導体との間に、一端から他端に至る長手方向とその長手方向に光を伝送させるように制限された幅とを有する量子井戸構造の動作層を備えた光半導体装置において、上記動作層は、幅方向の中央部で略直角に屈曲されている。

請求項（抜粋）：

p型半導体とn型半導体との間に、一端から他端に至る長手方向とその長手方向に光を伝送させるように制限された幅とを有する量子井戸構造の動作層を備えた光半導体装置において、上記動作層は、幅方向の中央部で略直角に屈曲されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (5件)：

H01S 5/50 610 ,  H01S 5/50 630 ,  G02F 1/017 503 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01S 5/50 610 ,  H01S 5/50 630 ,  G02F 1/017 503 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

Fターム (19件)：

2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079CA09 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079HA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA13 ,  5F073EA22