特許
J-GLOBAL ID：200903015038916001
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216856
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068222
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 複雑な製造プロセス及び出力レベルの低下を改善した半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 基板21上の全面にグレーティング22を形成する。グレーティング22上に、導波路層23、活性層24、及び保護層25を順次成長させ、グレーティング22を埋め込む。保護層25上のレーザ部形成予定領域Aに島状エッチング用マスク26を形成し、該島状エッチングマスク26以外の領域を異方性エッチングすることにより、保護層25、活性層24、及び導波路層23を除去する。更に、この時、グレーティング22もエッチングし、レーザ部形成予定領域A以外を平坦にする。この異方性エッチングを行うと、活性層24の端面がサイドエッチングされないので、変調器部形成予定領域Mと活性層24との結合状態が良好になる。その後、通常のプロセスで半導体レーザを製造する。
請求項（抜粋）：
レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上の全面に、レーザ光の発振波長を決定するグレーティングを形成するグレーティング形成工程と、前記グレーティング上に、前記レーザ光を伝導する導波路層、電流を流すことによって該レーザ光を発生する活性層、及び該活性層を保護する第1の保護層を順次成長させ、該グレーティングを埋め込む導波路層/活性層/保護層成長工程と、前記保護層上の前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチングマスク以外の領域を異方性エッチングすることにより、前記第1の保護層、前記活性層、及び前記導波路層を除去すると共に、前記グレーティングをエッチングして該島状エッチング用マスク以外の領域を平坦にするエッチング工程と、前記基板上の前記島状エッチング用マスクの周囲の領域に、外部から供給される変調信号に基づいて前記レーザ光を吸収して変調する吸収層、及び該吸収層を保護する第2の保護層を順次成長させ、該島状エッチング用マスクを埋め込んで平坦面を形成する吸収層埋め込み成長工程と、前記平坦面上の所望の領域にストライプマスクを形成した後、前記第2の保護層及び前記吸収層に対してエッチングを施して該ストライプマスクの下部にメサストライプを形成するメサエッチング工程と、前記基板上の前記メサストライプの両側の領域に、前記活性層のみに電流を流す第1の導電型の電流ブロック層及び第2の導電型の電流ブロック層を順次成長させる電流ブロック層埋め込み成長工程と、前記ストライプマスクを除去した後、前記メサストライプ及び前記第2の導電型の電流ブロック層上に前記レーザ光を遮蔽する第1の導電型のクラッド層と、レーザ部電極とオーミック接続を形成する第1の導電型のコンタクト層とを順次成長させ、前記変調器部形成予定領域中の前記メサストライプからリッジ導波路を形成するためのリッジ導波路構造用マスクを該コンタクト層上のリッジ導波路形成予定領域及び前記レーザ部形成予定領域に形成する該リッジ導波路構造用マスク形成工程と、前記リッジ導波路構造用マスク以外の領域の前記コンタクト層、前記クラッド層、及び前記第1、第2の導電型の電流ブロック層をエッチングすることにより、前記変調器部形成予定領域に前記リッジ導波路を形成するリッジ導波路構造形成工程と、前記リッジ導波路構造形成工程でエッチングした領域に絶縁層を埋め込む絶縁層埋め込み工程と、前記リッジ導波路の上面に前記活性層に電源電圧を供給する前記レーザ部電極を形成し且つ前記変調器部形成予定領域の上面に前記変調信号を供給する変調器部電極を形成すると共に、前記基板の厚みを所望の厚みに調整し、該基板の下面にアース用電極を形成する電極形成工程とを、行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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