特許

J-GLOBAL ID：200903015041506434

光電変換装置

発明者： 高橋 秀和
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293893
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110045
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板の表面上に、少なくとも第1および第2の金属層が設けられ、第2の金属層は第1の金属層上の絶縁膜上にあり、有効画素に隣接する遮光画素は第1または第2の金属層により遮光し、他の遮光画素は第2の金属層上の絶縁膜上に形成した第3の金属層により遮光した光電変換装置。【効果】 OB画素への光漏れやクロストークを防止し、光電変換装置の表面段差を軽減するとともに、暗時において、OB画素と有効画素との出力差を低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に有効画素部と遮光画素部とを設けた光電変換装置において、前記半導体基板の表面上に、少なくとも第1および第2の金属層が設けられ、第2の金属層は第1の金属層上の絶縁膜上にあり、有効画素に隣接する遮光画素は第1または第2の金属層により遮光し、他の遮光画素は第2の金属層上の絶縁膜上に形成した第3の金属層により遮光したことを特徴とする光電変換装置。