特許

J-GLOBAL ID：200903015054308852

サファイア単結晶引上成長装置

発明者： 松村 登
出願人/特許権者： 株式会社第一機電
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166498
公開番号（公開出願番号）：特開2005-001934
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】高周波誘導加熱によりるつぼ内のサファイア粉末を溶解させてサファイア単結晶を引上げ成長させる装置において、るつぼの低価格化を図る。【解決手段】円筒状のチャンバ内に設けられた円筒状の加熱室60と、加熱室60の外周に配置された加熱コイルと、加熱室60の内部に設けられたるつぼ69と、るつぼ69の上方に設けられたアフタヒータ76と、加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを備え、記加熱コイルによりるつぼを高温に加熱してサファイア粉末57を溶解せしめ、この溶液にシードを接触させ引上げてサファイア単結晶を成長させる装置において、るつぼ69をモリブデン,タングステン又は両者の混合物により形成すると共に、加熱室60をカーボンフェルト成形部材により形成し、かつ加熱室の筒状部61,62の外周面に縦方向に複数の溝65を設けた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

円筒状のチャンバ内に設けられた円筒状の加熱室と、該加熱室の外周に配置された加熱コイルと、前記加熱室の内部に設けられたるつぼと、該るつぼの上方に設けられたアフタヒータと、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを備え、前記加熱コイルに高周波電流を供給して前記るつぼを高温に加熱し、該るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、この溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で該シードを回転させながら引上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、 前記るつぼをモリブデン,タングステン又はモリブデンとタングステンとの混合物により形成すると共に、前記加熱室をカーボンフェルト成形部材により形成し、かつ該加熱室の筒状部を形成するカーボンフェルト成形部材の外周面に縦方向に複数の溝を設けたことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。

IPC (10件)：

C30B29/20 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  F27B14/04 ,  F27B14/06 ,  F27B14/14 ,  F27D11/06 ,  H05B6/04 ,  H05B6/24

FI (10件)：

C30B29/20 ,  C30B15/00 Z ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  F27B14/04 ,  F27B14/06 ,  F27B14/14 ,  F27D11/06 A ,  H05B6/04 321 ,  H05B6/24

Fターム (31件)：

3K059AA15 ,  3K059AA16 ,  3K059AB15 ,  4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077CF10 ,  4G077EG02 ,  4G077EG18 ,  4G077EG20 ,  4G077EG25 ,  4G077PA16 ,  4G077PD01 ,  4G077PE04 ,  4G077PE07 ,  4G077PE12 ,  4G077PE14 ,  4G077PE16 ,  4K046AA01 ,  4K046BA08 ,  4K046CA01 ,  4K046CC03 ,  4K046CD02 ,  4K046DA05 ,  4K046EA03 ,  4K063AA04 ,  4K063AA15 ,  4K063BA04 ,  4K063CA03 ,  4K063FA34 ,  4K063FA43 ,  4K063FA48