特許

J-GLOBAL ID：200903015057921962

半導体記憶装置

発明者： 福谷 豊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204164
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052695
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】センスアンプの実際の確定時間に対応させてフリップフロップのラッチタイミングを決定することにより、マージン時間等の無駄な待ち時間を排除し、データの読み出しを高速化することを目的とする。【構成】アドレス信号によって指定されたメモリセルの内容を読み出すセンスアンプと、前記センスアンプの出力をチップ外部に取り出すタイミングを決定するタイミング決定手段とを備える半導体記憶装置であって、前記タイミング決定手段は、前記メモリセルと同一構成または入出力遅延を同一とするダミーメモリセルと、前記センスアンプと同一構成または入出力遅延を同一とするダミーセンスアンプとを具備し、前記アドレス信号の変化に応答して該ダミーメモリセルの内容を変化させ、該ダミーメモリセルの内容を該ダミーセンスアンプで読み出すとともに、当該ダミーセンスアンプの出力が確定した時点を基準として、前記センスアンプの出力をチップ外部に取り出すタイミングを決定することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

アドレス信号によって指定されたメモリセルの内容を読み出すセンスアンプと、前記センスアンプの出力をチップ外部に取り出すタイミングを決定するタイミング決定手段とを備える半導体記憶装置であって、前記タイミング決定手段は、前記メモリセルと同一構成または入出力遅延を同一とするダミーメモリセルと、前記センスアンプと同一構成または入出力遅延を同一とするダミーセンスアンプとを具備し、前記アドレス信号の変化に応答して該ダミーメモリセルの内容を変化させ、該ダミーメモリセルの内容を該ダミーセンスアンプで読み出すとともに、当該ダミーセンスアンプの出力が確定した時点を基準として、前記センスアンプの出力をチップ外部に取り出すタイミングを決定することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 17/18 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 17/00 306 Z ,  G11C 11/34 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-310884
  
• 特開昭63-237296
  
• 特開平3-025792