特許
J-GLOBAL ID：200903015058696458
レーザーダイオードポンピング固体レーザー
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234011
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204256
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【課題】 固体レーザー結晶、ポンピング用半導体レーザー、および共振器を備えた固体レーザーモジュールを取付板の一表面上に固定し、この固体レーザーモジュールを温度制御素子によって温度調節するレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて、温度制御素子の耐衝撃性を高める。【解決手段】 取付板19に対して、固体レーザーモジュール固定側と反対側の表面に対向する状態で、間隔を置いてベースプレート21を配し、このベースプレート21と取付板19とを断熱性の連結部材20によって連結し、取付板19とベースプレート21との間に、それらの各々に弾性接着剤層23、24を介して接合された温度制御素子22を配設する。
請求項（抜粋）：
ネオジウム等の希土類が添加された固体レーザー結晶、この固体レーザー結晶をポンピングする半導体レーザー、および共振器を備えた固体レーザーモジュールと、一表面上にこの固体レーザーモジュールの少なくとも一部を固定する取付板と、この取付板に対して、前記一表面と反対側の表面に対向する状態で、間隔を置いて配されたベースプレートと、このベースプレートと前記取付板とを連結する断熱性の連結部材と、前記ベースプレートと前記取付板との間に配され、これらベースプレートおよび取付板の各々に弾性接着剤層を介して接合された温度制御素子とからなるレーザーダイオードポンピング固体レーザー。
IPC (7件)：
H01S 3/042
, G02F 1/37
, H01S 3/043
, H01S 3/094
, H01S 3/109
, H01S 3/131
, H01S 3/16
H01S 3/04 L
, H01S 3/04 S
, H01S 3/094 S
