特許
J-GLOBAL ID：200903015060005756

放射線改質ポリテトラフルオロエチレン及びその製造方法

発明者：
宇田川 昂

宇田川 昂 について

, 
大島 明博

大島 明博 について


出願人/特許権者：
日本原子力研究所

日本原子力研究所 について


代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-155902
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335643
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：
【要約】【課題】 ポリテトラフルオロエチレンの放射線照射による材料特性改善を、容易、簡便な条件下での放射線照射により可能とすること。【解決手段】 ポリテトラフルオロエチレンに対して空気中で0.5〜1.5kGyの範囲内の線量で電離放射線を照射することによりその引き裂き強度を増大させる。この放射線改質は、従来よりも低温で実施でき、例えば常温付近、殊に室温で温度制御なしでも実施できる。
請求項（抜粋）：
ポリテトラフルオロエチレンに対して空気中で0.5〜1.5kGyの範囲内の線量で電離放射線を照射することによりその引き裂き強度を増大させることを特徴とする機械的性質が改善されたポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
IPC (3件)：
C08J 3/28 CEW ,  C08J 7/00 305 ,  C08L 27:18
FI (3件)：
C08J 3/28 CEW ,  C08J 7/00 305 ,  C08L 27:18
Fターム (10件)：
4F070AA24 ,  4F070HA03 ,  4F070HA04 ,  4F070HA05 ,  4F070HB14 ,  4F073AA32 ,  4F073CA41 ,  4F073CA42 ,  4F073CA53 ,  4F073HA04
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM