特許

J-GLOBAL ID：200903015063455183

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 塚本 研一 ,  清水 昭博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340397
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176947
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 窒化シリコン膜が適用されている場合、高性能化や高信頼度化ができる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜としての窒化シリコン膜を形成する際に、水素が発生しない成膜法を使用して、窒化シリコン膜を形成する工程を有するものであり、MOSFETのゲート電極の表面に形成されている保護膜としての窒化シリコン膜7またはサイドウォールスペーサ12を形成するための窒化シリコン膜あるいは配線構造における層間絶縁膜としての窒化シリコン膜19などの製造工程に適用しているものである。

請求項（抜粋）：

複数のMOSFETを備えている半導体集積回路装置であって、窒化シリコン膜を形成する際に、水素が発生しない成膜法を使用して形成されている窒化シリコン膜が絶縁膜として適用されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 27/08 102 A ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 617 U