特許

J-GLOBAL ID：200903015066354868

面発光型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 森 克己 ,  近藤 貴幸 ,  金子 丈夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182163
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018084
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 近視野像での2点の発光スポット間隔に対して、遠視野像でのエネルギーピーク間隔を任意に変更することができる面発光型半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板102上には、第1,第2の反射ミラー103,111及びその間の多層の半導体層104,105,106,109により構成される光共振器が設けられる。多層の半導体層のうち第2クラッド層106、コンタクト層109が複数本の柱状部分114a,114bに形成される。第2の反射ミラー111の表面には、一方の柱状部分114bと対向する一部領域に、空気と屈折率が異なる材質にて形成された位相シフタ層115が設けられている。

請求項（抜粋）：

一対の第1、第2の反射ミラー及びその間の多層の半導体層から成る光共振器を有し、半導体基板と垂直な方向に向けて、光出射側の第2の反射ミラーを介して、複数発光スポットよりレーザ光を発振させる面発光型半導体レーザにおいて、前記第2の反射ミラー上の少なくとも一つの発光スポットと対向する一部領域に、空気と屈折率が異なる材質にて形成された位相シフタ層を設けたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。