特許
J-GLOBAL ID：200903015066913654
電子線描画装置のパターン修正装置におけるパターン修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270964
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122484
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】この発明は、荷電粒子線の複数回の走査によっても、パターン部材に障害を与えることなく、ウェハーへの転写の際に、新たな欠陥を生ずることのない電子線描画装置のパターン修正装置におけるパターン修正方法を提供することを目的とする。【構成】この発明のパターン修正方法は、パターン修正範囲の近傍の同一パターン部材5上に参照走査領域4の基準点3を設定し、前記参照走査領域以上の範囲の領域に、下地材と異なる材質の保護膜10を形成する。前記保護膜のみを貫通する貫通孔を設ける。前記参照走査領域4に荷電粒子線の走査し、前記貫通孔からのみ放出される、その下地材からの二次イオン信号を検出し、基準位置を確認する。前記パターンの修正動作を行う過程において、前記参照走査領域に荷電粒子線を走査し、検出された前記基準位置から、前記荷電粒子の軌道の変動を検知したとき、そのドリフト量に相当する照射位置の補正を行う。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に形成された金属薄膜上パターンの修正を行うために、荷電粒子線を集束するよう照射する荷電粒子線源と、前記荷電粒子線源からの荷電粒子線を、修正されるべきパターンに対応して偏向する偏向器と、前記基板上に保護膜を形成するためにガスを発生するガス発生手段と、前記保護膜に設けられ、走査領域の基準点となる貫通孔からのみ、前記荷電粒子線の走査時に二次イオンを検出する二次イオン検出器と、前記荷電粒子線の集束位置の変動を補正する手段と、よりなる電子線描画装置のパターン修正装置において、修正すべきパターン部の位置情報を受け、パターン修正範囲を指定する工程と、前記パターン修正範囲の近傍の同一パターン部材上に、荷電粒子線の参照走査領域の基準点を設定する工程と、前記参照走査領域以上の範囲の領域に、その下地材を保護する、下地材と異なる材質の保護膜を形成する工程と、前記基準点の位置において、前記保護膜に前記荷電粒子線のドリフト量を検出するための基準位置となり、前記保護膜のみを貫通する貫通孔を設ける工程と、前記走査領域に荷電粒子線の走査し、前記貫通孔からのみ放出される、その下地材からの二次イオン信号を検出し、前記基準位置を確認する工程と、前記基準位置に相当する前記貫通孔の位置から前記パターン修正範囲の該当修正箇所までの相対距離を算出しながら、前記荷電粒子線の照射による前記パターンの修正動作を行う過程において、再度、前記参照走査領域に荷電粒子線を走査し、検出された前記貫通孔の位置に相当する基準位置から、前記荷電粒子の軌道の変動を検知したとき、そのドリフト量に相当する照射位置の補正を行う工程と、よりなる電子線描画装置のパターン修正装置におけるパターン修正方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 506
H01L 21/30 541 Z
, H01L 21/30 502 W
