特許

J-GLOBAL ID：200903015067618575

スパッタリング装置および磁気デイスクの製造方法

発明者： 小林 宏宣 ,  徳満 洋司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 岡田 数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095613
公開番号（公開出願番号）：特開平7-278808
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】短絡(ショート)事故を軽減して生産性を高めたスパッタリング装置を提供する。【構成】 バッキングプレート(1)、その上面に配置されたターゲット材(2)、ターゲット材(2)の近傍に配置されたアースシールド(3)、ターゲット材(2)の上方に配置された基板(4)、これらを収容する真空室(5)から主として構成され、ターゲット材(2)と基板(4)との間に電圧を印加して基板(4)表面に薄膜を形成するスパッタリング装置において、バッキングプレート(1)の上面であってターゲット材(2)が配置されていない領域(9)の表面平均粗さ(Ra)が5μm以上に成されている。

請求項（抜粋）：

バッキングプレート、その上面に配置されたターゲット材、ターゲット材の近傍に配置されたアースシールド、ターゲット材の上方に配置された基板、これらを収容する真空室から主として構成され、ターゲット材と基板との間に電圧を印加して基板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置において、バッキングプレートの上面であってターゲット材が配置されていない領域の表面平均粗さ(Ra)が5μm以上に成されていることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35 ,  G11B 5/85

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-301074
  
• 特開昭61-276116
  
• 特開昭63-121659