特許

J-GLOBAL ID：200903015067678730

金属シリサイド配線層を有するMOS型半導体装置の製造方法

発明者： 大松 将彦
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270316
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122744
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 製造工程が簡易であって、チタン珪化物等の特性を損なうことなく、金属シリサイド配線層を有するMOS型半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 MOS型半導体装置のソース・ドレイン領域及びゲート電極の表面にチタン膜60等の高融点金属層と、チタン窒化膜61等の高融点金属窒化膜と、熱処理による高融点珪化物を真空状態を保持した状態で連続的に形成し、その後、シリコン酸化膜63を形成してコンタクトホール64を形成し、全面にアルミニウム膜を蒸着して、アルミニウム配線65,66を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体表面に互いに分離して設けられた第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、これらの間のチャネル領域を少なくとも含む前記半導体表面にゲート絶縁膜を介して設けられた多結晶シリコンからなるゲート電極と、該ゲート電極を含む全面に堆積された層間絶縁膜とを有する構造の金属シリサイド配線層を有するMOS型半導体装置の製造方法に於いて、前記ソース領域、ドレイン領域及びゲート電極並びに前記層間絶縁膜上に形成された多結晶シリコンから成る配線の内から選ばれる少なくとも一つの表面に高融点金属膜を形成する工程と、前記高融点金属膜を外気に晒すことなくこの高融点金属膜上に高融点金属窒化膜を形成する工程と、前記半導体層を熱処理して、前記高融点金属膜と前記多結晶シリコンとを反応させて、高融点珪化物を形成する工程とを有することを特徴とする金属シリサイド配線層を有するMOS型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-133622
  
• 特開昭63-133622