特許

J-GLOBAL ID：200903015074018575

マスクおよびパタン転写方法

発明者： 今井 彰 ,  長谷川 昇雄 ,  早野 勝也 ,  浅井 尚子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103711
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292906
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】リソグラフィーにおける回路パタン寸法精度の向上をはかる。【解決手段】回路パタンのショット内寸法分布を補正するようにマスクパタン寸法を補正したマスクを用いて、回路パタンを基板上に転写する。

請求項（抜粋）：

結像光学系を介して基板上にマスクパタンを転写して回路パタンを形成する際に用いるマスクにおいて、上記マスクパタンは基板上に形成された回路パタンのパタン寸法が均一になるように補正されていることを特徴とするマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 T ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W

Fターム (4件)：

2H095BA02 ,  2H095BB01 ,  2H095BB32 ,  2H095BD03