特許
J-GLOBAL ID：200903015075131979
デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029212
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 リソグラフ処理工程中でのレジストの線幅制御を行なう。【構成】 リソグラフ処理中の加工環境中に存在するアミン類のような塩基性物質による表面反応は化学増幅レジストのようなレジストの線幅制御性の喪失につながることが発見された。この線幅制御性の喪失は露光輻射線による発生された酸が例えば、アミンと反応することにより、本来起こるべき必要な化学反応が起こらなくなるために生じる。このような問題点は、レジスト層上に酸含有バリヤ層を使用することにより解決される。環境中の塩基性物質はバリヤ層中の酸と優先的に反応し、レジスト層中の酸とは反応しなくなるので、本来起こるべき必要な化学反応を正常に起こすことができるようになり、線幅制御性が維持される。
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト層を形成し、前記レジストを所定のパターンで輻射線により露光し、前記パターン付レジストを現像し、そして、前記現像レジストを用いて前記デバイス領域を画成することからなるデバイスの製造方法において、前記露光により前記レジスト中に酸を生成し、そして、環境中の塩基性物質が基板上の前記レジストと反応することを防止する手段を使用することを特徴とするデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, C08L 33/00
, G03F 7/027
H01L 21/30 361 S
, H01L 21/30 301 R
