特許

J-GLOBAL ID：200903015077092687

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 岩井 則広 ,  西片 一昭 ,  清水 均 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150239
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 活性層を直接加工することなしに、等価的に埋め込み型の半導体レーザ素子を作製することができ、特にAlを活性層に含む素子の信頼性が向上する半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 n型基板11上に、少なくともn型クラッド層12、(歪)量子井戸からなる活性層13、第1p型クラッド層14が順次積層された半導体レーザ素子であって、第1p型クラッド層14はリッジストライプ部を有し、リッジストライプ部の両側の第1p型クラッド層14上には、第1p型クラッド層14のp型ドーパントよりも拡散係数の大きいp型ドーパントを含む第2p型クラッド層17が積層され、リッジストライプ部の直下の領域を除く領域の活性層13は、第2p型クラッド層17からのp型ドーパントの熱拡散により混晶化されて、混晶化領域19となっている。

請求項（抜粋）：

n型基板上に、少なくともn型クラッド層、(歪)量子井戸からなる活性層、第1p型クラッド層が順次積層された半導体レーザ素子であって、第1p型クラッド層はリッジストライプ部を有し、リッジストライプ部の両側の第1p型クラッド層上には、第1p型クラッド層のp型ドーパントよりも拡散係数の大きいp型ドーパントを含む第2p型クラッド層が積層され、リッジストライプ部の直下の領域を除く領域の活性層は、第2p型クラッド層からのp型ドーパントの熱拡散により混晶化されていることを特徴とする半導体レーザ素子。