半導体歪量子井戸構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本庄伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024042
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237042
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】単一量子井戸あたりの層厚が厚く、かつ結晶転位が少なく光学特性に優れた歪量子井戸構造を提供する。【構成】基板結晶1上に歪量子井戸層4とバリア層3とを積層した量子井戸構造に於いて、格子定数a<SB>1 </SB>を持つ歪量子井戸層4中に、格子定数a<SB>2 </SB>の単一または複数の格子歪補償層5が挿入され、基板結晶の格子定数をa<SB>0 </SB>とすると、a<SB>1</SB><a<SB>0 </SB><a<SB>2 </SB>またはa<SB>1 </SB>>a<SB>0 </SB>>a<SB>2 </SB>である。このような構造により、単一量子井戸あたりの層厚が厚く、かつ結晶転位が少なく光学特性に優れた歪量子井戸構造が実現できる。

請求項（抜粋）：

格子定数a<SB>0 </SB>の半導体基板上に形成された、格子定数a<SB>1 </SB>の歪量子井戸層と該歪量子井戸層よりもバンドギャップの大きいバリア層とからなる半導体歪量子井戸構造に於いて、前記歪量子井戸層中に、格子定数a<SB>2 </SB>をもつ半導体層からなる単一または複数の超薄膜格子歪補償層が挿入され、a<SB>1 </SB><a<SB>0</SB>≦a<SB>2 </SB>またはa<SB>1 </SB>>a<SB>0 </SB>≧a<SB>2 </SB>であることを特徴とする半導体歪量子井戸構造。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-130988
特開平3-166785
特開平3-021093

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