特許

J-GLOBAL ID：200903015079881948

スパッタリング装置及びその高速真空排気方法

発明者： 神保 毅
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357404
公開番号（公開出願番号）：特開平11-200031
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【課題】 チャンバー内を短時間で高真空排気することができる、スパッタリング装置及びその高速真空排気方法を得ることを目的とする。【解決手段】 スパッタリング装置10Aのチャンバー12内を粗引き用真空ポンプにより排気し、第1のクライオポンプ40及び第2のクライオポンプ42により同時に排気した後、チャンバー12内に設けられたベーキングランプ34によりチャンバー12内をベーキングする。さらに、チャンバー内12にArガスを導入してプラズマを発生させ、チャンバー12内をArイオンでスパッタリングする。次いで、チャンバー12内を第1のクライオポンプ40及び第2のクライオポンプ42で同時に高真空まで排気する。

請求項（抜粋）：

スパッタリングガスをプラズマ化して生成したイオンをターゲットに射突させスパッタリングさせたターゲット材料を、被処理基体に堆積させるスパッタリング装置において、前記被処理基体が載置されるペデスタルと、前記ペデスタルを内部に収容するチャンバーと、前記被処理基体に対向して前記チャンバー内に配置されたターゲットと、前記ターゲット及び前記チャンバー間に電圧を印加するスパッタリング電源と、前記チャンバー内にスパッタリングガスを導入するガス導入口と、前記ガス導入口から導入されたスパッタリングガスをプラズマ状態にするプラズマ発生手段と、前記チャンバー内を高真空に排気する真空排気手段と、前記チャンバー内をベーキングするベーキング手段と、前記チャンバーの内壁面に対してスパッタリングするチャンバースパッタリング手段と、を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S