特許
J-GLOBAL ID：200903015086702587
ポーラスシリコンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178681
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021509
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ポーラスシリコンのサイズの規制方法及び表面組成の安定化に関し、ポーラスシリコンの微粒子のサイズを高精度で微細加工するとともに、発光効率を低下させずに表面の組成を安定にすることを目的とする。【構成】シリコンウェハ1の表面に基本となるポーラスシリコン2を形成する工程と、溶液を用いてに前記ポーラスシリコン2を化学的に酸化して表面に酸化層3を形成する工程と、前記酸化層3を還元により除去して前記ポーラスシリコン2を縮小化する工程とを有することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハ(1)の上に基本となるポーラスシリコン(2)を形成する工程と、溶液を用いて前記ポーラスシリコン(2)を化学的に酸化する工程とを有することを特徴とするポーラスシリコンの製造方法。
IPC (2件)：
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