特許

J-GLOBAL ID：200903015087434500

プラズマ処理装置および処理方法

発明者： 伊藤 洋文 ,  勝沼 隆幸 ,  稲沢 剛一郎 ,  末正 智希
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-158448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338912
出願日： 2000年05月29日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板をプラズマ処理する際にチャージアップダメージを発生させることなく、処理レートを均一にすることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 真空に保持可能なチャンバー1と、チャンバー1内に互いに対向して設けられた一対の電極2,16と、これら一対の電極2,16の間に高周波電界を形成する電界形成手段10と、チャンバー1内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段15と、チャンバーの周囲に設けられ、一対の電極2,16の間に形成される処理空間の周囲に磁場を形成する磁場形成手段21とを具備し、電極2に被処理基板Wが支持され、かつ磁場形成手段21により処理空間の周囲に磁場が形成された状態で、一対の電極2,16間に形成された高周波電界により処理ガスのプラズマが形成され、被処理基板Wにプラズマ処理が施される。

請求項（抜粋）：

真空に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に高周波電界を形成する電界形成手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバーの周囲に設けられ、前記一対の電極の間に形成される処理空間の周囲に磁場を形成する磁場形成手段とを具備し、前記電極のうち一方に被処理基板が支持され、かつ前記磁場形成手段により前記処理空間の周囲に磁場が形成された状態で、前記一対の電極間に形成された高周波電界により処理ガスのプラズマが形成され、被処理基板にプラズマ処理が施されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 C

Fターム (22件)：

4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM03 ,  4K057DM18 ,  4K057DM24 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26