特許
J-GLOBAL ID：200903015092802747
分子線結晶成長用基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014778
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】表面凹凸段差を1分子相当まで低減し、かつ、凹凸の間隔が100ナノメータ以上である平坦な基板及びその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、III-V 族化合物半導体結晶表面上に同種のもしくは異なるIII-V 族化合物半導体あるいは他の半導体、金属、絶縁物、超伝導体の薄膜結晶を分子線結晶成長法により製造するために用いるIII-V 族化合物半導体結晶からなる基板で、該 III-V 族化合物半導体基板の表面部分を MOCVD 法によって成長させたIII-V 族化合物半導体で覆った構成からなることを特徴とする分子線結晶成長用基板とすること、また、上記基板の製造において、III-V 族化合物半導体基板の表面上に MOCVD 法によってIII-V 族化合物半導体を形成する製造方法とすることによって達成することができる。
請求項（抜粋）：
III-V 族化合物半導体結晶表面上に同種のもしくは異なるIII-V 族化合物半導体あるいは他の半導体、金属、絶縁物、超伝導体の薄膜結晶を分子線結晶成長法により製造するために用いるIII-V 族化合物半導体結晶からなる基板で、該III-V 族化合物半導体基板の表面部分を MOCVD 法によって成長させたIII-V族化合物半導体で覆った構成からなることを特徴とする分子線結晶成長用基板。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 21/203
