特許

J-GLOBAL ID：200903015093758377

EUV露光方法及び露光装置

発明者： 太田 和哉
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 渡部 温 ,  柳瀬 睦肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313961
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152843
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】EUVリソグラフィに用いられるレチクル(マスク)を露光装置内に導入した後に、レチクルに微細なゴミが付着することにより露光作業に支障をきたすことを防ぎつつ、露光装置のスループット低下を防止する。【解決手段】レチクル2は、温調チャンバ16内のレチクルロードロック室19を介して、真空引きされている真空チャンバ17内に搬入される。真空チャンバ17の内部には、EUV露光装置の本体18が設置されていて、EUV露光を行う。レチクル2には、真空チャンバ17内でレチクルクリーニング機構22によってクリーニングが施される。このクリーニングの際には、レチクル2にゴミが付着しているかどうかをあらかじめ調べるためのレチクル検査は行わない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

感応基板上に転写すべきデバイスパターンをレチクル上に形成し、 真空環境下で該レチクルをEUV光で照明し、 該レチクルで反射したEUV光を感応基板上に照射して、前記デバイスパターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、 前記レチクルを真空環境下に導入した後に、該レチクルへのゴミの付着状況を検査することなく、該レチクルのクリーニングを行うことを特徴とするEUV露光方法。

IPC (1件)：

H01L21/027

FI (2件)：

H01L21/30 503G ,  H01L21/30 531Z

Fターム (6件)：

5F046AA18 ,  5F046CD04 ,  5F046DA04 ,  5F046DA06 ,  5F046GA07 ,  5F046GA20