特許

J-GLOBAL ID：200903015095497481

アクティブマトリクス表示素子およびその製造方法

発明者： 加藤 直樹 ,  増茂 邦雄 ,  欅田 昌也
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092208
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302907
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】高精細の多結晶シリコンTFT-LCDを得る。【構成】行電極と列電極と、行列電極に接続され多結晶化せしめられた半導体を備えた能動素子と能動素子によって駆動される画素電極とが設けられたアクティブマトリクス表示素子の製造方法であって、ビームアニールの走査1回で画素の2行分以上または2列分以上の駆動素子の半導体領域を多結晶化することを特徴とするアクティブマトリクス表示素子の製造方法。【効果】均一な特性の多結晶シリコンが得られ、その結果均一な特性を有するTFTアレイを安定して生産することができる。

請求項（抜粋）：

ビームアニールによって多結晶化せしめられた半導体を用いたアクティブマトリクス表示素子の製造方法であって、ビームアニールの走査1回で画素に接続された回路の2行分以上または2列分以上の半導体領域を多結晶化することを特徴とするアクティブマトリクス表示素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y