特許

J-GLOBAL ID：200903015101522060

露光用マスクのパターン補正方法

発明者： 臼井 聡 ,  橋本 耕治 ,  綱川 潔
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273211
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100390
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】本発明は、トランジスタの製造に用いられる露光マスクの、マスクパターンを補正する場合において、処理の高速化および補正の高精度化を達成できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、アクティブエリア上のゲート部を除く、配線部に対応するマスクパターンに対して、補助パターンの発生を考慮しないで作成した補正ルールにしたがって、1.5D-OPC処理を実施する。一方、ゲート部に対応するマスクパターンに対して、補助パターンの発生を考慮して作成した補正ルールにしたがって、1.5D-OPC処理を実施する。しかる後、寸法補正が行われたゲート部に対応するマスクパターンに対してのみ、所定の補正ルールにもとづいて、補助パターンの発生処理を実施する手順となっている。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程で用いられる露光用マスクの、前記半導体装置のマスクパターンの中で高精度な寸法制御が要求される第1のパターンに対して、その第1のパターンがウェーハ転写後に所望の寸法となるように寸法補正を行う第1の工程と、前記第1のパターン以外の、前記半導体装置のマスクパターンの中で高精度な寸法制御が要求されない第2のパターンに対して、その第2のパターンがウェーハ転写後に所望の寸法となるように寸法補正を行う第2の工程と、前記第1のパターンに対してのみ、選択的に補助パターンを設ける第3の工程とを備えてなることを特徴とする露光用マスクのパターン補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BB01 ,  2H095BB31 ,  2H095BB36