特許
J-GLOBAL ID:200903015102206587

固体撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 国則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-034406
公開番号(公開出願番号):特開平5-206438
出願日: 1992年01月23日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【目的】 MOS構造とMONOS構造の双方の利点を生かし、出力部分のトランジスタではVTHが安定な酸化膜を、かつ転送部分では膜厚の均一な酸化膜を得ることを可能とした固体撮像装置を提供する。【構成】 CCD固体撮像装置のゲート酸化膜構造として、水平CCD5にはMONOS構造を、出力用トランジスタ10にはMOS構造をそれぞれ使用することにより、転送部分ではMONOS構造の特質によって各ゲート層下の酸化膜の膜厚を均一に形成し、また出力部分のトランジスタではMOS構造の特質によってVTHシフトを抑える。
請求項(抜粋):
入射光を画素単位で光電変換して蓄積する2次元配列された複数個の受光部と、前記受光部から読み出された信号電荷を転送する転送用レジスタと、前記転送用レジスタによって転送されてきた信号電荷を検出して出力信号を導出する出力用トランジスタとを具備し、前記転送用レジスタのゲート絶縁膜が窒化膜を含む多層構造の第1の絶縁膜からなり、前記出力用トランジスタのゲート絶縁膜が内部に電荷トラップを有しない第2の絶縁膜からなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
H01L 27/148 ,  H04N 5/335

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