特許
J-GLOBAL ID:200903015105491550

有機EL表示装置の製造装置および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-006875
公開番号(公開出願番号):特開2000-208256
出願日: 1999年01月13日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】様々な材料や、諸条件への対応が容易で、膜厚分布の変動少なく、材料使用効率高く、成膜時の実用レート大、有機EL表示装置を良効率、低価格で量産可能な有機EL装置の製造装及び製造方法。【解決手段】基板2と、この基板2を回転させる回転手段と、蒸発源4とを有し、蒸発源4の開口部上の中心で開口部よりL0 の距離の蒸気密度m0 に対する開口部の中心線からの放射角θで開口部よりL離れた任意位置での蒸気密度mの比をm/m0 =(L0 /L)2 ・cosnθとして近似値のn値が、3〜18であり、基板2に対す蒸発源4の位置を、基板2の中央C/Lに対し、基板中央から端部までの距離aの1.0〜2.0倍の位置bに配置し、蒸発源4から基板への垂直距離cが、基板中央から端部への距離aの1.0〜3.5倍で、基板面が含まれる平面から蒸発源への垂線に対し、蒸発源の中心線が1〜45度の角度θ1を有す。
請求項(抜粋):
有機EL表示装置が形成される基板と、この基板を回転させる回転手段と、蒸発源とを有し、前記蒸発源の開口部上の中心で開口部よりL0 の距離における蒸気密度m0 に対する開口部の中心線からの放射角θで開口部より距離L離れた任意の位置での蒸気密度mの比をm/m0 =(L0 /L)2 ・cosnθとして近似したときの値であるn値が、3〜18であって、前記基板に対する蒸発源の位置を、基板の中央に対して、基板の中央から基板の端部までの距離の1.0〜2.0倍の位置に配置し、前記蒸発源の開口部から基板までの垂直距離が、基板の中央から端部までの距離の1.0〜3.5倍であり、前記基板面が含まれる平面から蒸発源に下ろした垂線に対し、蒸発源の中心線が1〜45度の角度を有する有機EL表示装置の製造装置。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (7件):
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03

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