多核金属錯体、該多核金属錯体の製造法、該多核金属錯体の使用、エレクトロルミネッセンス層装置、該エレクトロルミネッセンス層装置の製造法および発光構成要素

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206477
公開番号（公開出願番号）：特開2004-075681
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】リン光放射体として適当であり、容易に製造されることができ、かつ溶液から施与されてよく、上記の欠点、例えば複雑な配位子合成および再結晶への強い傾向を有しない新規の化合物を提供する【解決手段】一般式(I)(LmMe-HL)n-XL (I)[式中、Meは遷移金属を表し、Lは2座キレート形成配位子を表し、HLは遷移金属Meをキレート状に錯化し付加的にリンカーXLに結合されている2座キレート形成配位子を表し、XLはn-官能性リンカーを表し、該XLはn個の補助配位子HLに共有結合されており、nは2〜6の整数を表し、mは1〜3の整数を表す]の多核金属錯体。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(I) (LmMe-HL)n-XL (I) の多核金属錯体において、 Meは遷移金属を表し、 Lは2座キレート形成配位子を表し、 HLは遷移金属Meをキレート状に錯化し付加的にリンカーXLに結合されている2座キレート形成配位子を表し、 XLはn-官能性リンカーを表し、該XLはn個の補助配位子HLに共有結合されており、 nは2〜6の整数を表し、 mは1〜3の整数を表すことを特徴とする、一般式(I)の多核金属錯体。

IPC (8件)：

C07D213/16 , C07D213/26 , C07D409/04 , C07F5/00 , C07F15/00 , C09K11/06 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (8件)：

C07D213/16 , C07D213/26 , C07D409/04 , C07F5/00 H , C07F15/00 E , C09K11/06 660 , H05B33/10 , H05B33/14 B

Fターム (33件)：

3K007AB03 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4C055AA01 , 4C055BA02 , 4C055BA08 , 4C055BA11 , 4C055CA01 , 4C055DA01 , 4C063AA01 , 4C063BB01 , 4C063CC94 , 4C063DD12 , 4C063EE10 , 4H006AA01 , 4H006AB92 , 4H006AC59 , 4H006BA52 , 4H006BA66 , 4H039CA71 , 4H039CD40 , 4H048AA01 , 4H048AA03 , 4H048AB92 , 4H048VA85 , 4H048VB10 , 4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB92 , 4H050WB13 , 4H050WB14 , 4H050WB22

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