特許

J-GLOBAL ID：200903015112291833

不揮発性半導体メモリ装置及びこの装置への情報書き込み方法

発明者： 北村 高志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295389
公開番号（公開出願番号）：特開2003-108444
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 従来、不揮発性半導体メモリにおいては、一部のデータ領域での書き込み不能により、使用可能なデータ記憶領域が残っていてもメモリ全体が利用できず、結果的にメモリの寿命を短いものにしていた。【解決手段】 不揮発性半導体メモリ1内にメモリの所定領域11,12,13に書き込まれる所定の情報毎に対応させてカウンタ11b、12b、13bを設け、所定の情報をメモリに書き込む際、これらカウンタの値を読み込み、読み込んだカウント値を増加または減少させて書き込むべき情報と共にメモリ1の領域11に書き込みを行なう。読み込んだカウント値が所定の値と一致した場合には、メモリ1の空き領域14に書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリと、このメモリ内に設けられメモリの所定領域に書き込まれる所定の情報毎に設けられたカウンタと、前記所定の情報を前記メモリに書き込む際には、前記カウンタの値を読み込み、この読み込んだカウント値を増加または減少させて、書き込むべき情報と共に前記メモリに書き込みを行なうと共に、前記読み込んだカウント値が所定の値と一致した場合には空き領域に書き込みを行うようにする書き込み制御手段とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G06F 12/16 ,  G11C 16/02 ,  G11C 29/00 601

FI (3件)：

G06F 12/16 A ,  G11C 29/00 601 C ,  G11C 17/00 601 B

Fターム (11件)：

5B018GA04 ,  5B018HA23 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B025AD04 ,  5B025AE01 ,  5B025AE08 ,  5L106AA10 ,  5L106CC38 ,  5L106FF04 ,  5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-008199
  
• 特開平4-287143
  
• 特開平3-008199
  
• 特開平4-287143