特許

J-GLOBAL ID：200903015115631740

SOI基板及びこれを用いた半導体装置とその製造方法

発明者： 都筑 織衛
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302718
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139180
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 埋込層を有する任意の半導体装置に対して適用が可能な汎用性の高いSOI基板と半導体装置を得る。【構成】 単結晶シリコン基板1の表面に多結晶シリコン層2を成長し、この多結晶シリコン層にシリコン酸化膜3を形成し、更にシリコン支持基板4を貼り合わせ、かつ単結晶シリコン基板1の裏面を研磨してSOI基板を形成する。SOI基板には単結晶シリコン層の下層に多結晶シリコン層2が形成されているため、この多結晶シリコン層2に任意の不純物を導入することで埋込層を形成することができ、半導体装置のレイアウトが決定される前でもSOI基板を製造しておくことが可能となり、汎用性を高めるとともに、製造時間の短縮が可能となり、かつ製造時におけるエピタキシャル層の形成工程が不要となる。

請求項（抜粋）：

半導体支持基板と、この半導体支持基板の表面に形成された誘電体層と、この誘電体層の上に形成された多結晶シリコン層と、この多結晶シリコン層の上に形成された単結晶半導体層とを備えることを特徴とするSOI基板。

IPC (2件)：

H01L 21/762 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-058873
  
• 特開平4-062847
  
• 特開平3-132055