特許

J-GLOBAL ID：200903015115827220

半導体記憶装置、不揮発性記憶装置および磁気記憶装置

発明者： 大石 司
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277500
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119478
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】高い信頼性を有する半導体記憶装置、不揮発性記憶装置および磁気記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記憶装置としての半導体装置は、メモリ素子としてのTMRセル21a、21bと配線としての積層配線(バリアメタル膜11b、11cと導電体12b、12cとからなる第1の配線上にバリアメタル膜15b、15cおよび導電体16b、16cからなる第2の配線を積層した積層配線)とを備える。積層配線はTMRセル21a、21bと対向するように配置されている。積層配線は、TMRセル21a、21bと対向する部分の厚みが、TMRセル21a、21bと対向する部分以外の部分の厚みより厚い。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

メモリ素子と、 前記メモリ素子と対向するように配置された配線とを備え、 前記配線は、前記メモリ素子と対向する部分の厚みが、前記メモリ素子と対向する部分以外の部分の厚みより厚い、半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L27/10 461 ,  H01L43/08 Z

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA17 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA28