特許

J-GLOBAL ID：200903015121470155

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

発明者： 真部 勝英 ,  小滝 正宏 ,  田牧 真人 ,  梅崎 潤一
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316602
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151967
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】AlGaInN 発光ダイオードの発光輝度の向上及び素子寿命の向上【構成】N型の窒化ガリウムGaN からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウムからなるI層とを有し、I層5を、N層4と接合する側から順に、P型不純物濃度が段階的に増加する多数薄膜の積層構造又は徐々に増加する構造とした。Zn濃度は、1 ×1015/ cm3 〜2.0 ×1021/ cm3 の範囲で変化させた。この構造により電子の注入効率が向上し、発光輝度及び素子寿命が向上した。

請求項（抜粋）：

N型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるI層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記I層を、前記N層との接合面から遠ざかる方向に、P型不純物濃度を連続的に又は多段階的に増加させた構造としたことを特徴とする発光素子。