特許

J-GLOBAL ID：200903015123073382

独立電極の数が少ない半導体光増幅器に基づく光学部品

発明者： ベアトリス・ダジヤン ,  クリストフエール・ジヤン
出願人/特許権者： アルカテル
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330913
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162657
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 独立電極の数が少ない半導体光増幅器に基づく光学部品を提供する。【解決手段】 この部品は、能動導波路(20)が上部バッファ層と下部のバッファ層の間に埋め込まれている同じ垂直構造を備えた別個の領域(1、2、3、4、5)を有している。これらの領域はそれぞれ、等しいまたは異なる値の電流密度を注入するために、下部電極および上部電極(10、E2、E4)を有している。この部品は、前記電極の少なくとも1つ(10)がいくつかの領域(1、3、5)を覆い、考慮中の領域に応じて調節される分散された抵抗率を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

下部バッファ層(22)と上部バッファ層(23)の間に能動導波路(20)が埋め込まれている同じ垂直構造を備えた別個の領域(1、2、3、4、5)を有する半導体光学部品であって、等しいまたは異なる値の電流密度を前記領域内に注入するために、前記領域が下部電極および上部電極(10、E2、E4)を有し、前記電極の少なくとも1つ(10)がいくつかの領域(1、3、5)を覆い、考慮中の領域に応じて調節される分散された横方向抵抗率を有することを特徴とする部品。