特許

J-GLOBAL ID：200903015130533836

半導体の結晶化処理された機械的装置及びその方法並びにその製造システム

発明者： ジョン ダブリュー.ハーチェル
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-108251
公開番号（公開出願番号）：特開2004-001202
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】薄膜半導体をを用いて、比較的安価に、かつ高信頼性の電気機械的装置(MEMS)を製造する方法及びそのシステムを提供する。【解決手段】基板上に形成された薄膜半導体材料に対して行われるレーザー処理であり、基板30上に形成された薄膜半導体材料28、例えばアモルファスシリコン薄膜に対して、基板の表裏からレーザービーム26を照射して局部的な再結晶処理を施す。再結晶化における結晶性は製造しようとする機械的装置、特に電気機械的装置の種類に必要な機械的特性に応じて適宜変化させられる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶性に関連した機械的特性を、選択的且つ制御可能に変化する半導体の出発材料から、予め決められた形態を処理する半導体の機械的装置を形成すると共に、該機械的装置に対し、予め選択された機械的な処理を行う完成された装置により実行するために望まれた、機械的特性を設定する形成方法であって、 上記半導体の出発材料の主要部を処理領域に配置する工程と、 上記出発材料の主要部において、望まれ且つ予め決定された装置の形態を形成するのに適していると共に、結晶性に関連した機械的特性の望まれた上記設定を確定するのに適している結晶粒領域を選択する工程と、 上記処理領域において、上記選択された結晶粒領域を、上記関連する機械的特性や上記結晶性の制御された変化と共に変化させる工程と、 上記処理により、上記選択された結晶粒領域における機械的特性の望まれた設定を達成する工程とを備えている、形成方法。

IPC (4件)：

B81C1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L49/00

FI (4件)：

B81C1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 F ,  H01L49/00 Z