特許
J-GLOBAL ID：200903015132841147

高電子移動度トランジスタ

発明者：
池田 成明

池田 成明 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-423639
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183733
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 ゲート電極Gに電圧を加えていない状態では、ソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れないいわゆるノーマリーオフの動作する高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電子走行層3と電子供給層4のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層4の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層4の厚さよりも薄いことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層の厚さよりも薄いことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (18件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM