特許

J-GLOBAL ID：200903015133141211

基板処理装置

発明者： 竹林 基成
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299319
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの温度を迅速に昇降可能な自然酸化膜除去装置を提供する。【解決手段】 ウエハに形成された自然酸化膜をリモートプラズマドライクリーニング方式で除去する自然酸化膜除去装置10において、ウエハ1を保持するホルダ15のベース16には熱交換器17が設置されたバッファ板23が敷設され、バッファ板23上にはペルチェ素子27が使用された複数個の熱電モジュール26が配設され、熱電モジュール26の上にサセプタ30が設置されている。【効果】 ウエハを熱電モジュールで強制冷却して自然酸化膜除去ガスによる自然酸化膜の処理能力の低下を防止する。表面処理膜の昇華に際し、ウエハをランプヒータと共に熱電モジュールで加熱して加熱時間を短縮する。昇華後にサセプタを熱電モジュールで強制冷却して次回に処理すべきウエハの待ち時間を短縮する。これらにより、自然酸化膜除去装置のスループットを向上できる。

請求項（抜粋）：

被処理基板が当接されるサセプタに熱電半導体素子が設置されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/26

FI (6件)：

C23C 14/50 E ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/26 G

Fターム (34件)：

4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029DA08 ,  4K029EA08 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030KA24 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EB13 ,  5F045EH03 ,  5F045EH17 ,  5F045EH18 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ08 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK01 ,  5F045EK12 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10