特許

J-GLOBAL ID：200903015134154490

絶縁薄膜製造用の塗布組成物

発明者： 花畑 博之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (1件)： 武井 英夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364582
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165952
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】 4官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して3官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含むシリカ前駆体と、ブロックコポリマーと、酸触媒および溶媒とを包含することを特徴とする絶縁性薄膜製造用の塗布組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表されるアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物のうち少なくともいずれか1種以上と、下記一般式(2)で表されるアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物のうち少なくともいずれか1種以上を含有するシリカ前駆体であって、一般式(1)で表されるアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子と一般式(2)で表されるアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子の合計に対する一般式(2)に由来する珪素原子がモル分率で1モル%以上50モル%未満であるシリカ前駆体と、Si(OR1 )4 ・・・(1)R2 (Si)(OR1 )3 ・・・(2)(式中、R1 、R2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を表す。)(B)直鎖状または分岐状の2元以上のブロックコポリマーを含有する有機ポリマーと、(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種以上の溶媒と、を含有することを特徴とする絶縁性薄膜製造用塗布組成物。

IPC (9件)：

C09D183/02 ,  C01B 33/12 ,  C09D 1/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D153/00 ,  C09D171/02 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (9件)：

C09D183/02 ,  C01B 33/12 C ,  C09D 1/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D153/00 ,  C09D171/02 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

Fターム (45件)：

4G072AA24 ,  4G072AA25 ,  4G072GG01 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072RR05 ,  4G072RR07 ,  4G072UU07 ,  4J038AA011 ,  4J038CQ001 ,  4J038CQ002 ,  4J038CQ011 ,  4J038CQ012 ,  4J038DF001 ,  4J038DF002 ,  4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038GA01 ,  4J038GA02 ,  4J038GA09 ,  4J038HA096 ,  4J038HA236 ,  4J038HA336 ,  4J038HA366 ,  4J038HA416 ,  4J038HA441 ,  4J038JA16 ,  4J038JA32 ,  4J038JA35 ,  4J038JA55 ,  4J038JB12 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02