特許

J-GLOBAL ID：200903015137485608

水素吸蔵合金電極

発明者： 梅原 雄一 ,  佐々木 秀樹
出願人/特許権者： 日本電池株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260429
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 低温高率放電性能と寿命性能に優れた水素吸蔵合金電極をを提供する。【解決手段】 ニッケルを45〜55重量パーセント含有する希土類系水素吸蔵合金粉末からなる水素吸蔵合金電極であって、水素吸蔵合金粉末のニッケル含有率をX重量パーセントとあらわした場合、表面から0.05μmの深さにおけるニッケル含有率がX×(1.10〜1.20)重量パーセントであり、かつ表面から0.10μmの深さにおけるニッケル含有率がX×(1.05〜1.10)重量パーセントなる分布の粉末を有する水素吸蔵合金電極。

請求項（抜粋）：

ニッケルを45〜55重量パーセント含有する希土類系水素吸蔵合金粉末からなる水素吸蔵合金電極であって、該水素吸蔵合金粉末のニッケル含有率をX重量パーセントとあらわした場合、表面から0.05μmの深さにおけるニッケル含有率がX×(1.10〜1.20)重量パーセントであり、かつ表面から0.10μmの深さにおけるニッケル含有率がX×(1.05〜1.10)重量パーセントなる分布の粉末を有する水素吸蔵合金電極。

IPC (4件)：

H01M 4/38 ,  C22C 19/00 ,  C22C 28/00 ,  H01M 4/24

FI (4件)：

H01M 4/38 A ,  C22C 19/00 F ,  C22C 28/00 A ,  H01M 4/24 J

Fターム (12件)：

5H003AA01 ,  5H003AA04 ,  5H003BB02 ,  5H003BC01 ,  5H003BC05 ,  5H003BD00 ,  5H003BD04 ,  5H016AA01 ,  5H016CC09 ,  5H016EE01 ,  5H016HH01 ,  5H016HH13