特許

J-GLOBAL ID：200903015143024175

ニオブ酸リチウム薄膜の製造方法

発明者： 岡部 豊 ,  小岩 一郎
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-210969
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060385
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】 均一な屈折率やSHG位相整合定数の光学特性を有する、緻密なニオブ酸リチウム薄膜を、低温で、しかも安定、迅速な化学反応を用いて容易に得る。【解決手段】 少なくとも、有機酸リチウムと、アルコキシニオブとを脱エステル化反応させて、ニオブ酸リチウムの前駆体を作成する工程と、ニオブ酸リチウムの前駆体を下地に積層した後、加熱してニオブ酸リチウム薄膜を作成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

ニオブ酸リチウム薄膜の製造方法において、少なくとも、有機酸リチウムと、アルコキシニオブとを脱エステル化反応させて、ニオブ酸リチウムの前駆体を作成する工程と、該ニオブ酸リチウムの前駆体を下地に積層した後、加熱してニオブ酸リチウム薄膜を作成する工程とを含むことを特徴とするニオブ酸リチウム薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/30 ,  C01G 33/00 ,  C30B 7/06 ,  G02B 6/13

FI (4件)：

C30B 29/30 A ,  C01G 33/00 Z ,  C30B 7/06 ,  G02B 6/12 M