特許
J-GLOBAL ID:200903015143417665

金属膜作製方法及び金属膜作製装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 光石 俊郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-132409
公開番号(公開出願番号):特開2003-328127
出願日: 2002年05月08日
公開日(公表日): 2003年11月19日
要約:
【要約】【課題】 成膜効率を向上させるべく高濃度の原料ガスを供給した場合でも、高品質の成膜を行うことができる金属膜膜作製法を提供する。【解決手段】被エッチング部材である銅板部材7と基板3の温度とを所定の温度及び温度差に制御することにより、チャンバ1内のCl2 ガスプラズマで前記銅板部材7をエッチングしてCuを含む前駆体15を形成し、この前駆体15を基板3に吸着させる一方、補助アンテナ17に高周波電力を供給することにより基板3の近傍部分に前記前駆体15の一部を解離してCl* を形成し、このCl2 で基板3に吸着されたCuClからClを引き抜くことによりCu成分を基板3に析出させる所定の成膜反応が促進するようにした。
請求項(抜粋):
内部に基板を収容するチャンバに高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属で形成した被エッチング部材を配設する一方、この被エッチング部材と前記基板の温度とを所定の温度及び温度差に制御することにより、前記チャンバ内のハロゲンを含有する原料ガスプラズマで前記被エッチング部材をエッチングして金属成分と原料ガスとの前駆体を形成し、この前駆体を基板に吸着させる一方、前記基板の近傍部分におけるその上方の空間に前記前駆体の一部を解離して前記原料ガスプラズマを形成し、この原料ガスプラズマで前記基板に吸着された前駆体から原料ガス成分を引き抜くことにより前記前駆体の金属成分を基板に析出させて所定の成膜を行うことを特徴とする金属膜作製方法。
IPC (3件):
C23C 16/06 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285
FI (3件):
C23C 16/06 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C
Fターム (13件):
4K030AA03 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030FA04 ,  4K030HA13 ,  4K030JA10 ,  4K030KA20 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45
引用特許:
出願人引用 (5件)
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